第182章 救星来了！
第182章救星来了！
临安，苏省大学微电子学院。
“通入六甲基二硅胺烷……”
“硅片脱水完成，增粘处理完成，开始旋转涂胶。”
“……”
这已经是他们不知道进行了多少次的实验流程了，除了操作员时不时进行流程汇报之外，实验内悄然无声。
数十名研发人员都静静地坚守着自己的岗位，偶尔抬头看一眼设备运行情况，以及站在操控台中间的那位老人。
“涂胶检测完毕，未发现气泡，开始曝光前烘……前烘完毕，光刻机准备曝光……”
在实验有条不紊的推进中，终于到了曝光环节。
每次进入曝光环节，那短短的十秒钟，都让吴利鸿感觉像一个世纪那么长……
而在曝光的过程中，加装在工件台的的测量仪器也在同时进行疯狂的数据收集。
“曝光结束，进入后烘环节，曝光数据正在分析中……”
“曝光过程总产气量……”汇报结果的研究员停顿了一下，然后用颤抖的语气念出了数值，“289立方纳米！”
哗——！
听到这个结果，整个实验室都顿时安静了下来，随后便是阵阵惊呼声。
“竟然真是光致产酸剂BR-侧键的问题！”
“吴院士牛逼啊！”
“……”
虽然后烘的具体数据还没出来，但光是这个产气量的数据，就已经称得上是史无前例的重大突破了！
涂满12寸的硅片光刻胶，在曝光的过程中，才产出了仅仅289立方纳米的气体，
而这么小的产气量，光刻胶的曝光边缘肯定非常光滑平整。
这就意味着更高的清晰度，以及更低的制程。
可以说，他们已经彻底解决了光刻胶最棘手的产气量问题！
吴利鸿听到这个数据后，脸上也不禁浮现起了一抹如释重负的笑容，但这却让他的脸上的皱纹褶子更多了……
过了大约十分钟，曝光后的硅片也已经完成了后烘，并对曝光部分的光刻胶进行了溶解清除，然后又进行了一次坚膜烘焙，加固光刻胶形成的电路保护膜。
接下来，就是他们这个实验环节最重要的电路图像清晰度分析了。
而最终的分析结果也果然不出他们所料，在降低了98%的产气量后，他们得到的电路保护膜，表面非常光滑平整，没有出现任何坍塌变形！
“膜厚正常，套刻精度正常！”
听到这个结果，所有人顿时都激动的看着吴利鸿。
事实上实验进行到了这一步，已经基本可以肯定他们的EUV光刻胶，已经达到了13.5纳米的制程标准。
因为他们苏省微电子的所有精力，都用来研发光刻胶了，对多重曝光等压缩制程的工艺，没有太多的研究，所以13.5纳米只是他们研究所的最小制程工艺。
而这款光刻胶具体的最小制程，得找申城硅产业或者立昂微来做进一步的验证，尤其是最早拿到EUV光刻机的申城硅产业，经过这几个月的摸索调试，他们已经把制程工艺推到了5nm。
不过为了稳妥起见，吴利鸿还是按捺住激动的心情，对大家开口道：“立即准备蚀刻实验验证，确认最后的环节没问题再送到申城硅产业去。”
“明白！”
研究员们听到后，顿时又开始忙碌了起来。
本来按照他们之前的实验流程，实验到了这一步基本就是失败了，这次其实根本就没有做好进入蚀刻环节的准备。
但面对这个意想不到的巨大惊喜，大家却没有一丝‘临时加班’的怨言，一个个都吭哧吭哧地开始重新准备实验。
两个小时后，最终结果终于出炉了。
他们研发的光刻胶，成功地经受干法刻蚀中高能粒子的洗礼，顺利完成了保护硅片基底的