第一百八十八章：第一颗碳化硅晶体管（求订阅）

界杯了（狗头）】

【好家伙，楼上这是有准备啊。】

【输入一百微安的电流，可以输出近二十毫安的电流？这种技术为啥不用来发电？】

【？？？？？这就又开始不遵守能量守恒了？】

【我高中老师说过，谁要说永动机可以制造出来，可以直接刮他大耳巴子。】

【楼上这很刑啊。】

........

看着讨论的正欢的弹幕，韩元笑道：“从输入一百微安到输出十九毫安，这并不代表能量不守恒。”

“晶体管放大电流的原理在于通电后发射区向基区发射电子，电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差。”

“在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流。”

“从而使晶体管具有电流放大作用。”

“就类似积少成多一样。”

“现在两张电流测试表已经成功的验证了我制造出来的晶体管具有放大作用，那么接下来就是对其稳定性进行测试了。”

说着，韩元将碳化硅晶体管拆了下来，然后开始一次又一次的调整输入电流，并入晶体管进行测试。

每一次的测试，他都会用纸和笔将输入电流和集电电流的强度记录下来。

“第一次：输入100微安，集电19.7毫安，电流扩大197倍......”

“第二次：输入125微安，集电24.4毫安，电流扩大195倍......

“第三次：输入75微安，集电14.7毫安，电流扩大197倍......”

“第四次：输入300微安，集电59.6毫安，电流扩大199倍......”

“........”

十几次测试下来，最终的结果以表格的方式呈现在一张纸上。

碳化硅晶体管放大电信号的稳定性出乎了韩元的意料，也震惊到了直播间中蹲守收看的科研人员。

三位数的电流扩大效应并不算什么，但电流扩大的稳定性效应却及其可怕。

上下波动不超过五倍，这简直难以让人相信。

如果说这是集成芯片上的晶体，那做到这种地步的确是有可能的。

但别忘了，这是一枚及其简陋的碳化硅晶体管。

制造过程他们全程都看在眼中，这名主播没有使用任何高精密仪器，也没有使用光刻胶、单晶硅等尖端材料。

最高层次的技术，莫过于在制造n-漂移层时使用‘电热离子渗透法’。

“如果说，将这种技术应用到芯片的硅基底上会怎么样？”

在震惊过后，研究这一方面的科研学家脑海中都冒出来了一个大胆的想法。

毕竟晶体管的碳化硅基底的制造和芯片硅基底的制造在某些程度上是有相同步骤的。

比如铝离子的注入，沟槽的侵蚀，这些东西都完全可以应用起来。

更关键的是，这名主播制造p型硅的时候，使用的是多晶硅！

多晶硅和单晶硅虽然只有一字之差，但两者的制造难度截然不同。

如果能用多晶硅来代替单晶硅当做芯片的硅基的话.......

想到这，所有科研学者的呼吸不由自主的沉重了起来。

........

模拟空间中，韩元并不知道自己今天的实验给外界带来的震撼。

他还在忙碌着给碳化硅晶体管进行测试并记录所有的数据。

太阳落山，时间又至夜晚。

物理实验室的电灯早已经升起，而通过不断的进行测试后，韩元也顺利的完成了针对这枚晶体管的‘放大能力’的检测。

至于剩下的工作，放到明天来做。

毕竟针对性的测试并不少。

除了放大能力